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capacitance-volt相关论文
N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响
采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAIO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积......
期刊
铪铝氧介质
原子层淀积
淀积后退火
电容-电压特性
HfAIO
ALD
post-deposition anneal
capacitance-volt
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